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IC芯片电子元器件PSS50S71F6 MITSUBISHI 深圳烨雄半导体一站式配单

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联系方式

  • 联系人:
    朱先生
  • 地   址:
    广东 深圳 福田区 深圳市福田区华强北街道华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座11层01
产品特性:IGBT模块品牌:MITSUBISHI型号:PSS50S71F6
封装:DIP24批号:2115IGBT类型:咨询
配置类型:咨询集射极击穿电压(VCEO):咨询最大集电极电流(Icm):50A
集电极截止电流:咨询最大耗散功率:200mW工作温度范围:-20-+100
安装类型:通孔应用领域:机械设备

 P侧

:驱动电路,高压高速电平转换,控制电源欠压( UV)保护

●对于N端

:驱动电路,控制电源欠压保护( UV) ,短路保护( SC ) ,

●故障信号:对应SC故障( N侧IGBT ) ,UV故障( N侧电源)

●温度输出: 1.4.3 LVIC温度模拟信号

●输入接口: 3 , 5V线,施密特触发器接收电路(高活性)

● UL认证: UL1557文件E80276


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